详细说明SK 海力士和台积电签署谅解备忘录，目标 2026 年投产 HBM4

发布时间：2024年06月08日

HBM内存。

包括HBME（第五代HBM产品）在内，SK海力士旗下HBM产品的基础裸片此前均采用自家工艺制造，而从HMB（第六代HBM产品）开始，该公司将采用台积电的先进逻辑（Lgic）工艺。

双方将会展开紧密合作，尝试使用台积电的CWS技术封装SK海力士的HBM产品，从而在性能和功效等方面，进一步满足客户的定制化（Cstmize）HBM产品需求。

SK海力士宣布和台积电签署谅解备忘录（MOU），推进HBM研发和下一代封装技术，目标在年投产HBM。

HBM是将多个DRAM裸片（CreDie）堆叠在基础裸片上，并通过TSV技术进行垂直连接而成，

基础裸片也连接至GPU，在HBM中扮演非常重要的角色。

两家公司初期目标是改善HBM封装内最底层基础裸片（BaseDie）的性能。